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 退火溫度對電子束蒸發沉積硅薄膜結構和光學性能的影響

Bao-Jian LIU Wei-Bo DUAN Da-Qi LI De-Ming YU Gang CHEN Ding-Quan LIU

[摘要]系統研究了退火溫度對硅薄膜結構和光學性能的影響。通過電子束蒸發工藝制備硅薄膜,然后在氮氣保護下對薄膜樣品在200~500°C范圍內進行退火處理。使用XRD、拉曼光譜、電子自旋共振和透射光譜測量等方法對薄膜樣...

 PDF全文紅外與毫米波學報 | 2020, 39(01):1-5

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